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Dei ricercatori dell'University of California Santa Barbara e della Rice University hanno progettato dei transistor capaci di operare a voltaggi davvero molto bassi, come 0,1 Volts. Tali tunnel field effect transistor (TFET) possono rendere i dispositivi elettronici molto più efficienti.
Questi, infatti, riducono la dissipazione della potenza di circa il 90% se comparati agli attuali MOSFET di silicio.
Il problema che adesso i ricercatori stanno cercando di affrontare è descritto come segue:
"I MOSFET sono i blocchi con cui si costruisce l'elettronica di un componente, sin da 1970. Comunque, per sostenere la crescita a cui assistiamo giorno per giorno c'è bisogno di miniaturizzare ed incrementare la densità dei transistors. La miniaturizzazione stessa dei MOSFET ha dato una grossa mano a tenere a bada la dissipazione, ma questi transistor presentano delle limitazioni fondamentali basate sulle proprie caratteristiche."
Kaustav Banerjee, professore di Electrical and Computer Engineering alla California University ha spiegato perché i TFET forniscono un grosso miglioramento all'efficienza rispetto ai MOSFET:
"I transistor come i MOSFET sono caratterizzati da un fenomeno noto come subthreshold swing, che non può essere attenuato sotto un certo livello". Nel caso di MOSFET a temperatura ambiente questo fenomeno avviene a circa 60mV/decade, mentre nei TFET a 30mV/decade.
I TEFT progettati dall' dell'University of California Santa Barbara e dalla Rice University sono prodotti con un singolo strato di solfuro di molibdeno che permette il passaggio della corrente, piazzato poi su un elettrodo di germanio.
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