Anche l’era del silicio sta arrivando al termine lasciando spazio ad altri materiali che nelle funzionalità e nelle caratteristiche peculiari superano di gran lunga l’oro nero.
Uno di questi materiali è il grafene. Già due anni fa IBM dimostrò che era possibile realizzare circuiti integrati con il grafene utilizzando basi di silicio, avendo però, poco audience. Oggi i ricercatori del Nanoelectronics Research Lab alla University of California, hanno mostrato il modello di un circuito ottenuto interamente da un singolo foglio di grafene.
Kaustav Banerjee, direttore del Nanoelectronics Research Lab, ha evidenziato un’altra interessante proprietà del materiale. Il grafene possiede una “tunable band gap“, per cui è possibile modificare la larghezza delle strisce tramite la litografia per trasformarlo in semiconduttore o in metallo. Inoltre, strisce contigue permettono di progettare componenti attivi e passivi con basse resistenze di contatto.
L’esigenza di trovare un nuovo materiale è spinta dai limiti di miniaturizzazione del silicio in quanto la riduzione delle dimensioni causa l’aumento delle resistenze di contatto, una degradazione delle prestazioni e un aumento dei consumi.Inoltre secondo International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) entro il 2015 non sarà più possibile utilizzare il rame come strumento di interconnessione fra i vari componenti, quindi è necessario trovare al più presto un alternativa.Il circuito integrato progettato dall’università californiana (un inverter a due stadi) usa invece transistor e interconnessioni in grafene.