Samsung: al via la produzione delle memorie DDR3 da 4Gb

Inviato da Alessio Marino
Notizia | 11/03/2014 ( ore 12:11 ) : Samsung ha ufficialmente annunciato l'inizio della produzione di massa delle "memorie DDR3 più avanzate", basate sul processo produttivo a 20 nanometri. Le nuove DRAM da 4Gb (gigabit) utilizzano una tecnologia di patterning "immersion ArF lithography", che secondo i coreani spianerà la strada alla prossima generazione di DRAM a 10 nanometri. Grazie a queste nuove memorie da 20 nanometri, Samsung è riuscita a diminuire il dispendio di energia rispetto ai chip DDR3 da 25 nanometri. &appId;