Un piccolo miracolo dell'elettronica è rappresentato dal fatto che per quanto una tecnologia possa apparire definitiva e all'avanguardia essa, in realtà, è solo il punto di partenza per una nuova sperimentazione.
In principio furono le valvole, poi vennero condensatori, resistori e induttori, quindi i transistor e oggi il TMD, acronimo di Transition Metal Dichalcogenide, un nuovo materiale che ha permesso ai ricercatori della Cornell University di New York di realizzare un transistor integrato dello spessore di appena 3 atomi.
La procedura di lavorazione del TMD è parecchio complicata e comincia con un mix di dimethylsulfide (solfuro dimetile) e metal hexacarbonyl (esacarbonile metallico) che viene spalmato su un wafer in silicio in un ambiente scaldato a 550° e in presenza di idrogeno allo stato gassoso. Il risultato non è la metanfetamina blu di Walter White ma piuttosto una pellicola spessa pochi atomi che contiene 200 transistor sottilissimi e con caratteristiche pressocchè ottime: i ricercatori parlano di elevata mobilità degli elettroni e di soli due transistor malfunzionati su 200 esemplari.
I campi di applicazione del TMD vanno dalle celle solari ai semiconduttori, quindi dal segmento energetico e quello della microelettronica ma la prossima sfida sarà quella di ottenere questo materiale a temperature inferiori in quanto la temperatura elevata finisce per distruggere alcuni elementi ausiliari e a limitare quindi la possibilità di implementare questa tecnolgia nei più svariati ambiti.
Grazie al TMD avremo un'elettronica più piccola e più veloce con la possibilità di sperimentare oltre i limiti imposti dal silicio e dalla legge di Moore:
" Le prestazioni dei processori, e il numero di transistor ad esso relativo, raddoppiano ogni 18 mesi. "