HfO2 RRAM: prestazioni migliori e consumi minori in meno di 10 nanometri

Grazie alle scoperte effettuate da imec, lo sviluppo delle memorie RRAM, chiamate anche ReRAM, ha effettuato un salto in avanti.

In occasione del VLSI Technology Symposium, è stata mostrata una nuova tipologia di cella di memoria che, sfruttando le proprietà dell’afnio e del suo ossido, possiede migliori prestazioni e allo stesso tempo consumi inferiori rispetto alle attuali memorie. Inoltre questa scoperta ha consentito di raggiungere una migliore affidabilità e, stando a quanto ipotizzato dall’azienda, consentirà di produrre questo tipo di memoria con una scala inferiore ai 10 nanometri.

Per chi non lo sapesse, le RRAM si basano sull’utilizzo di resistenze variabili controllate mediante la tensione, in una struttura Metallo/Isolante/Metallo.

Imec utilizzando uno strato di afnio (Hf) come sovrastruttura nel processo di formazione, il triossido di alluminio per l’inserimento della resistenza ed il biossido di afnio (HfO2) come materiale “buffer” per migliorare il controllo della resistenza variabile, è riuscita a ridurre la corrente operativa a meno di 500 nA. Proprio per questo motivo tale scoperta ha acquisito il nome di HfO2 RRAM.

Addio RAM?

Considerando che tra i partner di imec ci sono grandi aziende come Intel, Samsung, TSMC, Globalfoundries, Micron, Panasonic, Toshiba, il successo di questa ricerca potrebbe però portare alla fine dell’attuale tecnologia delle memorie RAM basate sul silicio.

Non ci resta che attendere nuovi sviluppi e verificare le RRAM saranno davvero le memorie RAM del futuro.