Memorie atomiche sperimentali

Al giorno d’oggi le memorie più affidabilli sono quelle a stato solido, in cui i dati vengono immagazzinati tramite flussi di elettroni all’interno di circuiti stampati di silicio.

Ma da molti anni ormai gli scienzati stanno pensando di poter immagazzinare dati nei singoli atomi. Al momento questa fantascienza che è diventata realtà è il modo più veloce teorizzabile per l’immagazzinamento di dati.

L’idea si basa sullo spin protonico che avviene costantemente negli atomi. Immaginando infatti un protone come una sfera che gira, potremmo indirizzare per un verso di rotazione l’1, e per il verso opposto lo 0.

Sperimentazione:

McCarmey, Boehme e i loro colleghi hanno potenziato con atomi di fosforo una memoria convenzionale al silicio di un millimetro quadrato e l’hanno collegata a dei contatti elettrici. Hanno portato il tutto in una cella refrigerante che ha portato la struttura a poco più di 1K, poiche sembra funzionare solo così al momento. Inoltre è stato creato un campo magnetico intorno di 8,59 Tesla (200.000 volte maggiore a quello terrestre).

Gli scienziati sono stati pienamente soddisfatti del risultato, hanno infatti immagazzinato dei dati per 112 secondi.

Conclusioni:

La troupe di scienziati ha dichiarato che questa memoria è altamente affidabile. Il dubbio che scatta è “se i dati rimagono per 2 minuti, non è molto affidabile, no?”

Boehme dichiara:

la memoria DRAM di un comume pc conserva le informazioni per pochi millisecondi, poi vengono ri-scritte di nuovo. E in questo modo l’informazione si conserva.

112 secondi è quindi un ottimo risultato, considerando che durante la conservazione i dati sono stati letti più di 2000 volte, che dimostra che la lettura non compromette i dati in nessun modo.

Non è stato dichiarato nulla riguardo alla capacità, ma pensando al numero di atomi presenti in un millimetro quadro di silicio, si può pensare direttamente ai TeraByte!

Sicuramente una tecnologia interessante, cosa ne pensate?

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