Nonostante ancora il Qualcomm Snapdragon 820 sia quasi tutto da scoprire, in rete cominciano ad emergere notizie sul Qualcomm Snapdragon 830, atteso per la fine del 2016 o per l’inizio del 2017. Di esso abbiamo scoperto, attraverso alcune indiscrezioni, che sarà realizzato con un processo produttivo a 10 nm (al momento nessuna azienda al mondo commercializza chip a 10 nm) e che potrà supportare un quantitativo di memoria RAM pari a 8 GB.
Al momento non esistono memorie RAM per smartphone da 8 GB ma, così come per il processo produttivo, il 2016 rappresenterà un importante banco di test per le maggiori fabbriche di semi-conduttori. Ricordiamo che qualche settimana fa Samsung ha annunciato l’avvio della produzione in massa di wafer di RAM a LPDDR4 a 12 Gb che, in termini pratici, si traduco in chip RAM da 6 GB. Tuttavia, non è da escludere che nel 2017 la stessa Samsung sviluppi un nuovo processo a 16 Gb, riuscendo nell’intento di realizzare memorie RAM LPDDR4 da 8 GB.
Ad ogni modo, l’incremento prestazionale a cui stiamo assistendo in questo periodo è molto repentino, con differenze di performance importanti di generazione in generazione. La nostra speranza è che per il momento Qualcomm si concentri maggiormente sullo Snapdragon 820 e che, non appena avrà terminato i test ed avrà stabilizzato la produzione, si concentri sul Qualcomm Snapdragon 830.
2015-12-01Lorenzo Spada
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