Samsung Galaxy S6 monterà una memoria Flash NAND di nuova generazione

ETNews, un sito coreano, riporta che Samsung Electronics si sta preparando alla produzione di una nuova memoria Flash NAND da montare sul Samsung Galaxy S6.

Questa memoria si chiama UFS 2.0 e combina il vantaggio principale della tecnologia UFS (Universal Flash Storage), ovvero il risparmio energetico con una velocità di trasferimento dati che può arrivare a 1.2 gigabyte al secondo.

Le attuali eMMC NAND sono equipaggiate in tutti i terminali e la loro velocità di trasferimento (400 MB/s) pare già elevatissima, ma con la UFS 2.0 raggiungeremo il triplo della velocità. In questo modo potremo sfruttare al 100% i display dei nostri device guardando filmati in ultra-alta definizione. Inoltre questa nuova tecnologia dimezzerà il consumo energetico dovuto alla memoria (quindi più batteria per tutti).

Samsung ha investito e continuerà ad investire tantissimo su questo nuovo tipo di memoria, conscia del fatto di essere leader mondiale nella produzione di memorie Flash NAND.

Alla porta dell’azienda coreana potrebbe bussare Xiaomi, infatti sembra che anche l’azienda cinese voglia adottare questo nuovo tipo di memoria per la prossima generazione di Mi-Device.

Se siete curiosi vi lasciamo questo video realizzato da Toshiba che spiega la differenza fra le memorie eMMC e UFS.