Samsung ha annunciato memoria DDR4 da 8-gigabit a 20 nm
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Samsung Electronics ha annunciato che l’azienda è in uno stato avanzato nello sviluppo di memoria DDR4 da 8-gigabit, nonché moduli di memoria da 32 GB DDR4 entrambi basate sul un nuovo metodo di costruzione a 20 nm. Questa nuova memoria è progettata per l’utilizzo nei server aziendali.
Jeeho Baek, Vice Presidente Marketing di Samsung Electronics ha dichiarato:
“I nostro metodo di costruzione a 20 nm della Ram da 8-gigabit soddisfa elevate prestazioni, alta densità e le esigenze di efficienza energetica che stanno guidando la proliferazione di server aziendali di prossima generazione. Ampliando la produzione a 20 nm vi forniremo prodotti ad alta qualità e densità, questo per la crescente domanda da parte dei clienti nel mercato globale premium enterprise.”
La nuova memoria 8 GB DDR4 è l’ultima aggiunta alla linea di di memoria DDR4 di Samsung a 20 nm, che include anche a 20 nm 4 Gb DDR3 per PC e 6 Gb LPDDR3 per dispositivi mobili. La memoria arriva fino a 2400 megabit al secondo (Mbps) di velocità di trasferimento dati, che è di circa il 29 per cento più veloce della Ram DDR3. La memoria offre anche funzioni di correzione degli errori per una migliore affidabilità dei dati e utilizza 1.2V come qualsiasi altra memoria DDR4.
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