Salve community, Samsung monterà fino a 4GB di RAM, grazie ai nuovi banchi di memoria LPDDR4 da 8 gigabit.
Samsung promette un boost fino al 50% di performance ed una diminuzione dei consumi pari al 40%.
Samsung, ha mostrato al mondo il primo chip di memoria a low power DDR4 da 8 gigabit (1 GB). Questi piccoli chip potrebbero portare fino a 4GB di memoria RAM all’interno dei futuri smartphone e tablet di Samsung.
I’ LPDDR4 viene fabbricato con il processo produttivo da 20 nanometri ed offre 1 gigabyte su un singolo die. L’interfaccia del’ LPDDR4 permetterà di avere un boost del 50% delle performance rispetto alle memorie LPDDR3 o DDR3, mentre i consumi sono inferiori di circa il 40%, pari a 1.1 volt.
Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) permetterà ottenere un transfer rate per pin di circa 3200 Mbps, il doppio rispetto a quello offerto dalla LPDDR3 DRAM da 20 nm.
Che ne pensate?