Samsung ha iniziato la produzione di massa di nuovi moduli di memoria DRAM con la capacità massima di 4Gb, ovvero circa 512MB di tipo LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) realizzate con un processo produttivo a 20 nm.
Grazie alle nuove tecniche di produzione, i moduli di DRAM LPDDR3 da 4Gb sono in grado di trasmettere dati fino a 2133 megabit al secondo per pin che equivarrebbe a più del doppio rispetto alle memorie di precedente generazione.
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