SK Hynix ha sviluppato il primo modulo DDR4 da 128GB
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SK Hynix Inc. produttore di semiconduttori sudcoreano ha svelato il primo modulo DDR4 da 128GB basato su chip di memoria proprietari da 8Gb e sviluppati con processo produttivo da 20nm.
Sung Joo Hong, responsabile dello sviluppo DRAM presso SK Hynix ha dichiarato:
“Lo sviluppo del primo modulo DDR4 da 128GB ha un’importanza significativa nel lancio di altissime densità per il mercato dei server. La compagnia continuerà a rafforzare la propria competitività nel segmento premium delle memorie DRAM con lo sviluppo di prodotti ad alta densità e velocità, e con consumi energetici ridotti”.
SK Hynix utilizza la tecnologia TSV nei nuovi moduli, acronimo di Through Silicon Via. Questo nuovo prodotto funziona a 2133 Mbps 64-bit I / O ed elabora fino a 17 GB di dati al secondo. Funziona anche alla bassissima tensione di 1.2V contro gli 1.35V dei moduli DDR3. SK Hynix prevede che la produzione di massa del nuovo modulo – per il solo mercato dei server – dovrebbe iniziare per la prima metà del 2015. Infatti 128GB di RAM su singolo modulo risulterebbero inutili e non compatibili con le schede madri future per il mercato consumer.
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