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SK Hynix ha annunciato un piano per portare sul mercato le memorie 3D NAND a 36 livelli entro la fine di quest'anno. L'azienda ha anche altre idee per il futuro, con la stessa tecnologia - ma a 48 livelli - che prenderà piede in un periodo del 2016.
La compagnia sudcoreana ha anche iniziato recentemente a produrre le DRAM a 20 nanometri per concorrere con Samsung e con Toshiba/SanDisk:
"SK Hynix ha introdotto il nuovo processo tecnologico a 20 nanometri per le memorie DRAM. Abbiamo avuto alcune difficoltà ma alla fine lo abbiamo stabilizzato. Stiamo iniziando a spedire alcuni samples ai nostri clienti e la produzione di massa è cominciata."
Durante l'annuncio, il presidente dell'azienda, Park Sung-Wook ha spiegato le strategia per i nuovi chip flash:
"E' un processo per verificare la nuova tecnologia. Stiamo pianificando di produrre un piccolo batch di memorie flash 36-layer 3D NAND per la fine dell'anno, e poi iniziare la mass production delle 48-layer il prossimo anno, presumibilmente nei primi mesi. Le nuove memorie saranno ottime, ma ci stiamo anche focalizzando sulle DRAM. Oltre che al rilasciare un nuovo chip di memoria sul mercato, stiamo studiando nuove strade per trovare il modo per sfruttare al meglio i chip già esistenti."
SK Hynix quindi sembra stia proprio seguendo le orme di Samsung, come se volesse rincorrerla, visto che la seconda ha già cominciato la produzione delle memorie DRAM a 20 nanometri.
Senza dubbio dal punto di vista delle flash stiamo assistendo a tantissimi sviluppi in un lasso di tempo limitato.
Sk Hynix
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