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Samsung a lavoro sulle memorie DDR3 a 20 nanometri

Creato il 17 marzo 2014 da Toxico @liquidcoolingx2

Samsung ha annunciato che l’azienda sta lavorando ad una nuova tipologia di memoria DDR3 con processo produttivo a 20 nanometri.

Ciò potrebbe essere adatto alle memorie DDR4 LP, ma facendo questo lavoro sulle DDR3 il costo di lancio delle DDR4 sarà più contenuto. Ecco un grafico rilasciato dall’azienda:

PowerConsumption


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